Справочник транзисторов. 3DG3130

 

Биполярный транзистор 3DG3130 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 3DG3130
   Маркировка: H1SP_H1SQ
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1400 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 75
   Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для 3DG3130

 

 

3DG3130 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:157K  foshan
3dg3130.pdf

3DG3130
3DG3130

2SC3130(3DG3130) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency amplifier, oscillation and mixing amplification. f TFeatures: High f , small Cob and small Crb. T /Absolute maximum ratings(Ta=25)

 8.1. Size:60K  china
3dg3137.pdf

3DG3130
3DG3130

"3DG3137" 3DG3137 1 3DG3137 NPN VHF/UHF B4(A3-02B) 8.64 9.392 2.1

 9.1. Size:207K  foshan
3dg3142.pdf

3DG3130
3DG3130

2SC3142(3DG3142) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency general-purpose amplifier applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 25 V CBO V 20 V CEO V 3.0 V EBO I 30 mA C P 150 mW C T 150 j T -55150 stg

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
Back to Top