Справочник транзисторов. 3DG3130

 

Биполярный транзистор 3DG3130 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 3DG3130

Маркировка: H1SP_H1SQ

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1400 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 75

Корпус транзистора: SOT23

Аналоги (замена) для 3DG3130

 

 

3DG3130 Datasheet (PDF)

1.1. 3dg3130.pdf Size:157K _china

3DG3130
3DG3130

2SC3130(3DG3130) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于高频放大、振荡、混频。 Purpose: High frequency amplifier, oscillation and mixing amplification. 特点:特征频率 f 高,共基极输出电容小和反向传输出电容小。 T Features: High f , small Cob and small Crb. T 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号

4.1. 3dg3137.pdf Size:60K _china

3DG3130
3DG3130

查询"3DG3137"供应商 华晶分立器件 3DG3137 高频放大环境额定双极型晶体管 1 概述与特点 3DG3137 硅 NPN 型超高频小功率晶体管 主要用于 VHF/UHF 频段作高频小功率放大或振 荡 该产品特点如下 特征频率高 反向漏电流小 饱和压降低 电流特性好 封装形式 B4(A3-02B) 8.64 9.39 2 电特性 2.1 极限

 5.1. 3dg3142.pdf Size:207K _china

3DG3130
3DG3130

2SC3142(3DG3142) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于普通高频放大。 Purpose: High frequency general-purpose amplifier applications. 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 Symbol Rating Unit V 25 V CBO V 20 V CEO V 3.0 V EBO I 30 mA C P 150 mW C T 150 ℃ j T -55~150 ℃ stg 电性能

Другие транзисторы... 2SC628 , 2SC629 , 2SC63 , 2SC631 , 2SC631A , 2SC631AS , 2SC632 , 2SC632A , BC547C , 2SC633A , 2SC634 , 2SC634A , 2SC635 , 2SC636 , 2SC637 , 2SC638 , 2SC639 .

 

 
Back to Top