Справочник транзисторов. 3DG3130

 

Биполярный транзистор 3DG3130 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3DG3130
   Маркировка: H1SP_H1SQ
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1400 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 75
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для 3DG3130

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG3130 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:157K  foshan
 3dg3130.pdf pdf_icon

3DG3130

2SC3130(3DG3130) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency amplifier, oscillation and mixing amplification. f TFeatures: High f , small Cob and small Crb. T /Absolute maximum ratings(Ta=25)

 8.1. Size:60K  china
 3dg3137.pdf pdf_icon

3DG3130

"3DG3137" 3DG3137 1 3DG3137 NPN VHF/UHF B4(A3-02B) 8.64 9.392 2.1

 9.1. Size:207K  foshan
 3dg3142.pdf pdf_icon

3DG3130

2SC3142(3DG3142) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency general-purpose amplifier applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 25 V CBO V 20 V CEO V 3.0 V EBO I 30 mA C P 150 mW C T 150 j T -55150 stg

Другие транзисторы... 3DG2881 , 3DG2881A , 3DG2884 , 3DG2909 , 3DG2999 , 3DG302 , 3DG3020 , 3DG3020A1 , 2SB817 , 3DG3137 , 3DG3142 , 3DG3326 , 3DG3330 , 3DG3332 , 3DG3355 , 3DG3356 , 3DG3357 .

History: SMMBT3904WT1G | MPS930R

 

 
Back to Top

 


 
.