3DG3130 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры

   Наименование производителя: 3DG3130
   Маркировка: H1SP_H1SQ
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1400 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 75
   Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для 3DG3130