3DG3478 Todos los transistores

 

3DG3478 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3DG3478

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.75 W

Tensión colector-base (Vcb): 200 V

Tensión colector-emisor (Vce): 180 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 2.6 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 135

Encapsulados: TO92

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3DG3478 datasheet

 ..1. Size:301K  foshan
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3DG3478

2SC3478(3DG3478) NPN /SILION NPN TRANSISTOR Purpose General purpose amplifier applications requiring high breakdown voltages. , 2SA1376(3CG1376) Features High breakdown voltage, good h linearity, complementary to 2SA1376(3CG1376). FE /Absolute maxim

 9.1. Size:117K  china
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3DG3478

3DG3439(2N3439) NPN PCM TA=25 800 mW ICM 1000 mA Tjm 150 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=1mA 450 V V(BR)CEO ICE=1mA 350 V V(BR)EBO IEB=1mA 7.0 V ICBO VCB=350V 20 A ICEO VCB=300V 20 A IEBO VEB=6V 20 A IC=50mA VCEsat 0.5 V IB=4mA VCE=10V hFE

 9.2. Size:120K  china
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3DG3478

3DG3440(2N3440) NPN PCM TA=25 800 mW ICM 1000 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=2mA 300 V V(BR)CEO ICE=2mA 250 V V(BR)EBO IEB=1mA 7.0 V ICBO VCB=300V 5.0 A ICEO VCE=200V 2.0 A IEBO VEB=7V 10 A VBEsat 1.3 IC=50mA V IB=4mA VCEs

 9.3. Size:111K  china
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3DG3478

3DG3402(2SC3402) NPN PCM TA=25 300 mW ICM 100 mA Tjm 150 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=10 A 50 V V(BR)CEO ICE=100 A 50 V V(BR)EBO IEB=10 A 10 V ICBO VCB=40V 0.1 A ICEO VCB=40V 0.5 A IEBO VEB=5V 330 A IC=10mA VCEsat 0.3 V I

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