Справочник транзисторов. 3DG3478

 

Биполярный транзистор 3DG3478 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 3DG3478

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 180 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 135

Корпус транзистора: TO92

Аналоги (замена) для 3DG3478

 

 

3DG3478 Datasheet (PDF)

1.1. 3dg3478.pdf Size:301K _china

3DG3478
3DG3478

2SC3478(3DG3478) 硅 NPN 半导体三极管/SILION NPN TRANSISTOR 用途: 用于要求高电压的一般放大电路。 Purpose: General purpose amplifier applications requiring high breakdown voltages. 特点: 高电压,放大线性好,与 2SA1376(3CG1376)互补。 Features: High breakdown voltage, good h linearity, complementary to 2SA1376(3CG1376). FE 极限参数/Absolute maxim

5.1. 3dg3440.pdf Size:120K _china

3DG3478

3DG3440(2N3440)型 NPN 硅高频小功率晶体管 参数符号 测试条件 规范值 单位 PCM TA=25℃ 800 mW 极 ICM 1000 mA 限 Tjm 175 ℃ 值 Tstg -55~150 ℃ V(BR)CBO ICB=2mA 300 V V(BR)CEO ICE=2mA 250 V V(BR)EBO IEB=1mA ≥7.0 V ICBO VCB=300V ≤5.0 μA ICEO VCE=200V ≤2.0 μA 直 IEBO VEB=7V ≤10 μA 流 VBEsat ≤1.3 IC=50mA V 参 IB=4mA VCEs

5.2. 3dg3439.pdf Size:117K _china

3DG3478

3DG3439(2N3439)型 NPN 硅高频小功率晶体管 参数符号 测试条件 规范值 单位 PCM TA=25℃ 800 mW ICM 1000 mA Tjm 150 ℃ Tstg -55~150 ℃ V(BR)CBO ICB=1mA ≥450 V V(BR)CEO ICE=1mA ≥350 V 极 V(BR)EBO IEB=1mA ≥7.0 V 限 ICBO VCB=350V ≤20 μA 值 ICEO VCB=300V ≤20 μA IEBO VEB=6V ≤20 μA IC=50mA VCEsat ≤0.5 V IB=4mA VCE=10V hFE ≥

 5.3. 3dg3402.pdf Size:111K _china

3DG3478

3DG3402(2SC3402)型 NPN 硅高频小功率晶体管 参数符号 测试条件 规范值 单位 PCM TA=25℃ 300 mW 极 ICM 100 mA 限 Tjm 150 ℃ 值 Tstg -55~150 ℃ V(BR)CBO ICB=10μA ≥50 V V(BR)CEO ICE=100μA ≥50 V V(BR)EBO IEB=10μA ≥10 V ICBO VCB=40V ≤0.1 μA 直 流 ICEO VCB=40V ≤0.5 μA 参 IEBO VEB=5V ≤330 μA 数 IC=10mA VCEsat ≤0.3 V I

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 9012 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top