3DG3779 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DG3779
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W
Tensión colector-base (Vcb): 20 V
Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
Tensión emisor-base (Veb): 3 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 5000 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 1 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 40
Encapsulados: TO92
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3DG3779 datasheet
3dg3779.pdf
2SC3779(3DG3779) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Applications UHF low-noise amplifiers, wide-band amplifiers. Features Small noise figure, high power gain, high f . T /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Ra
Otros transistores... 3DG3357 , 3DG3399 , 3DG3402 , 3DG3439 , 3DG3440 , 3DG3478 , 3DG3545 , 3DG3648 , BC639 , 3DG380TM , 3DG3838K , 3DG383TM , 3DG3841 , 3DG388ATM , 3DG3904 , 3DG4 , 3DG4003 .
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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