Справочник транзисторов. 3DG3779

 

Биполярный транзистор 3DG3779 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3DG3779
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5000 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO92
 

 Аналог (замена) для 3DG3779

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG3779 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:180K  foshan
 3dg3779.pdf pdf_icon

3DG3779

2SC3779(3DG3779) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Applications: UHF low-noise amplifiers, wide-band amplifiers. : Features:Small noise figure, high power gain, high f . T/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Ra

Другие транзисторы... 3DG3357 , 3DG3399 , 3DG3402 , 3DG3439 , 3DG3440 , 3DG3478 , 3DG3545 , 3DG3648 , 2SA1015 , 3DG380TM , 3DG3838K , 3DG383TM , 3DG3841 , 3DG388ATM , 3DG3904 , 3DG4 , 3DG4003 .

 

 
Back to Top

 


 
.