Справочник транзисторов. 3DG3779

 

Биполярный транзистор 3DG3779 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 3DG3779
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5000 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 3DG3779

 

 

3DG3779 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:180K  foshan
 3dg3779.pdf

3DG3779 3DG3779

2SC3779(3DG3779) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Applications: UHF low-noise amplifiers, wide-band amplifiers. : Features:Small noise figure, high power gain, high f . T/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Ra

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP31C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

History: 2N3199

 

 
Back to Top