3DG3779 - описание и поиск аналогов

 

3DG3779. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DG3779

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 3DG3779

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG3779 даташит

 ..1. Size:180K  foshan
 3dg3779.pdf pdf_icon

3DG3779

2SC3779(3DG3779) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Applications UHF low-noise amplifiers, wide-band amplifiers. Features Small noise figure, high power gain, high f . T /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Ra

Другие транзисторы: 3DG3357, 3DG3399, 3DG3402, 3DG3439, 3DG3440, 3DG3478, 3DG3545, 3DG3648, BC639, 3DG380TM, 3DG3838K, 3DG383TM, 3DG3841, 3DG388ATM, 3DG3904, 3DG4, 3DG4003

 

 

 

 

↑ Back to Top
.