3DG4 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DG4
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 20 V
Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 200 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 25
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3DG4 datasheet
3dg4.pdf
3DG4 NPN A B C D E F G PCM 300 mW ICM 30 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICE=0.1mA 20 30 40 20 30 40 50 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 15 20 30 15 20 30 40 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCE=10V 0.1 A ICEO VCE=10V 0.1 A IEBO
Otros transistores... 3DG3648 , 3DG3779 , 3DG380TM , 3DG3838K , 3DG383TM , 3DG3841 , 3DG388ATM , 3DG3904 , 2SC828 , 3DG4003 , 3DG4081 , 3DG4081W , 3DG4097 , 3DG4115S , 3DG4155A , 3DG42 , 3DG4401 .
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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