Биполярный транзистор 3DG4
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DG4
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200
MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Корпус транзистора:
TO92
SOT23
TO18
Аналоги (замена) для 3DG4
3DG4
Datasheet (PDF)
..1. Size:129K china
3dg4.pdf 

3DG4 NPN A B C D E F G PCM 300 mW ICM 30 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICE=0.1mA 20 30 40 20 30 40 50 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 15 20 30 15 20 30 40 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCE=10V 0.1 A ICEO VCE=10V 0.1 A IEBO
0.1. Size:144K crhj
3dg40005 as-h.pdf 


NPN R 3DG40005 AS-H 3DG40005 AS-H EB VEBO>20V NPN VCEO 400 V IC 50 mA hFE Ptot Ta=25 0.3 W
0.2. Size:175K crhj
3dg44.pdf 


NPN R 3DG44 3DG44 NPN VCEO 400 V IC 0.3 A Ptot Ta=25 0.625 W
0.3. Size:109K china
3dg42.pdf 

3DG42 NPN PCM TA=25 300 mW ICM 500 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1A 300 V V(BR)CEO ICE=1.0mA 300 V V(BR)EBO IEB=0.1A 6.0 V ICBO VCB=200V 100 nA IEBO VEB=6V 100 nA VBEsat IC=20mA 0.5 V IB=2mA VCEsat 0.9 VCE=10V hFE 40 IC=10mA
0.4. Size:134K foshan
3dg458.pdf 


2SC458(3DG458) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Low frequency amplifier. :2SA1029(3CG1029) Features: Complementary pair with 2SA1029(3CG1029). /Absolute Maximum Ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 30 V CBO V 30 V CEO V 5.0 V EBO I 100 mA C I -100 mA E
0.5. Size:215K lzg
3dg4081.pdf 


2SC4081(3DG4081) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: General amplifier. : Features: Low C ob./Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 60 V CBO V 50 V CEO V 7.0 V EBO I 150 mA C P 200 mW C T 150 j T -55150
0.6. Size:386K lzg
3dg4115s.pdf 


2SC4115S(3DG4115S) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :/Purpose: Low frequency amplifier. : 2SA1585S(3CG1585S) Features: Low V ,excellent current gain characteristicscomplementary pair with CE(sat)2SA1585S(3CG1585S). /Absolute maximum ratings(Ta=25)
0.7. Size:197K lzg
3dg4401.pdf 


2N4401(3DG4401) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : I 500mA CPurpose: Medium power amplifier and switch requiring collector currents up to 500 mA. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 60 V CBO V 40 V CEO V 6.0 V EBO I 600 mA C P 625
0.8. Size:254K lzg
3dg4155a.pdf 


2SC4155(3DG4155) 2SC4155A(3DG4155A) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : /Purpose: For hybrid IC,small type machine low frequency voltage amplify application. - Vce sat =0.3Vmax SOT-23 ( )/Feature:Small collectoe to e
0.9. Size:206K lzg
3dg4081w.pdf 


2SC4081W(3DG4081W) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: General amplifier. : Features: Low C ob./Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 60 V CBO V 50 V CEO V 7.0 V EBO I 150 mA C P 200 mW C T 150 j T -55150
0.10. Size:279K lzg
3dg4097.pdf 


2SC4097(3DG4097) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Medium power transistor. :, 2SA1577(3CG1577) Features: Low C , complements the 2SA1577(3CG1577). ob/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 40 V CBO V 32 V CEO V 5.0
0.11. Size:256K lzg
3dg4003.pdf 


2SC4003(3DG4003) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose: High voltage driver applications. MBIT FeaturesHigh breakdown voltage, adoption of MBIT process excellent h linearity. FE/Absolute maximum ratings(Ta=25)
Другие транзисторы... 2SA1771
, 2SA178
, 2SA1790
, 2SA1791
, 2SA1792
, 2SA1793
, 2SA1794
, 2SA1795
, BC557
, 2SA1799
, 2SA17H
, 2SA18
, 2SA180
, 2SA1800
, 2SA1800O
, 2SA1800R
, 2SA1800Y
.