3DG4 - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор 3DG4 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: 3DG4
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: TO92 SOT23 TO18

Аналоги (замена) для 3DG4

3DG4 Datasheet (PDF)

..1. Size:129K china
3dg4.pdf pdf_icon

3DG4

3DG4 NPN A B C D E F G PCM 300 mW ICM 30 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICE=0.1mA 20 30 40 20 30 40 50 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 15 20 30 15 20 30 40 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCE=10V 0.1 A ICEO VCE=10V 0.1 A IEBO

0.1. Size:144K crhj
3dg40005 as-h.pdf pdf_icon

3DG4 3DG4

NPN R 3DG40005 AS-H 3DG40005 AS-H EB VEBO>20V NPN VCEO 400 V IC 50 mA hFE Ptot Ta=25 0.3 W

0.2. Size:175K crhj
3dg44.pdf pdf_icon

3DG4 3DG4

NPN R 3DG44 3DG44 NPN VCEO 400 V IC 0.3 A Ptot Ta=25 0.625 W

0.3. Size:109K china
3dg42.pdf pdf_icon

3DG4

3DG42 NPN PCM TA=25 300 mW ICM 500 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1A 300 V V(BR)CEO ICE=1.0mA 300 V V(BR)EBO IEB=0.1A 6.0 V ICBO VCB=200V 100 nA IEBO VEB=6V 100 nA VBEsat IC=20mA 0.5 V IB=2mA VCEsat 0.9 VCE=10V hFE 40 IC=10mA