3DG4003 Todos los transistores

 

3DG4003 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DG4003
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
   Tensión colector-base (Vcb): 400 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 70 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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3DG4003 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:256K  lzg
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3DG4003

2SC4003(3DG4003) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose: High voltage driver applications. MBIT FeaturesHigh breakdown voltage, adoption of MBIT process excellent h linearity. FE/Absolute maximum ratings(Ta=25)

 8.1. Size:144K  crhj
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3DG4003

NPN R 3DG40005 AS-H 3DG40005 AS-H EB VEBO>20V NPN VCEO 400 V IC 50 mA hFE Ptot Ta=25 0.3 W

 9.1. Size:215K  lzg
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3DG4003

2SC4081(3DG4081) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: General amplifier. : Features: Low C ob./Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 60 V CBO V 50 V CEO V 7.0 V EBO I 150 mA C P 200 mW C T 150 j T -55150

 9.2. Size:206K  lzg
 3dg4081w.pdf pdf_icon

3DG4003

2SC4081W(3DG4081W) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: General amplifier. : Features: Low C ob./Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 60 V CBO V 50 V CEO V 7.0 V EBO I 150 mA C P 200 mW C T 150 j T -55150

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History: 2SC515 | DMBT5551 | MMUN2232L | KT218E9 | 2SA2025

 

 
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