3DG4003 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DG4003  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO252

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DG4003

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG4003 даташит

 ..1. Size:256K  lzg
 3dg4003.pdf pdf_icon

3DG4003

 8.1. Size:144K  crhj
 3dg40005 as-h.pdf pdf_icon

3DG4003

 9.1. Size:215K  lzg
 3dg4081.pdf pdf_icon

3DG4003

2SC4081(3DG4081) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose General amplifier. Features Low C ob. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 60 V CBO V 50 V CEO V 7.0 V EBO I 150 mA C P 200 mW C T 150 j T -55 150

 9.2. Size:206K  lzg
 3dg4081w.pdf pdf_icon

3DG4003

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3DG3779, 3DG380TM, 3DG3838K, 3DG383TM, 3DG3841, 3DG388ATM, 3DG3904, 3DG4, TIP127, 3DG4081, 3DG4081W, 3DG4097, 3DG4115S, 3DG4155A, 3DG42, 3DG4401, 3DG458