3DG512B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DG512B
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
Tensión colector-base (Vcb): 130 V
Tensión colector-emisor (Vce): 90 V
Tensión emisor-base (Veb): 8 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
Paquete / Cubierta: TO18
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 3DG512B
3DG512B Datasheet (PDF)
3dg512b.pdf
3DG512B NPN PCM 1 W ICM 2 A Tjm 175 V(BR)CBO ICB=0.1mA 130 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 90 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 8 V ICBO VCB=30V 1 A ICEO VCE=30V 1 A VBEsat 1.3 IC=500mA V IB=50mA VCEsat 0.5 VCE=2V hFE 60 IC=100mA 1.
3dg512c.pdf
3DG512C NPN PCM TA=25 1 W ICM 2 A Tjm 175 V(BR)CBO ICB=0.1mA 140 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 140 V ICBO VCB=30V 1.0 A ICEO VCE=30V 1.0 A VBEsat 0.5 IC=500mA V IB=50mA VCEsat 1.3 VCE=2V hFE 50 IC=500mA 1. E
Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP42 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050