3DG512B - описание и поиск аналогов

 

3DG512B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DG512B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 130 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 90 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для 3DG512B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG512B даташит

 ..1. Size:103K  china
 3dg512b.pdf pdf_icon

3DG512B

3DG512B NPN PCM 1 W ICM 2 A Tjm 175 V(BR)CBO ICB=0.1mA 130 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 90 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 8 V ICBO VCB=30V 1 A ICEO VCE=30V 1 A VBEsat 1.3 IC=500mA V IB=50mA VCEsat 0.5 VCE=2V hFE 60 IC=100mA 1.

 8.1. Size:101K  china
 3dg512c.pdf pdf_icon

3DG512B

3DG512C NPN PCM TA=25 1 W ICM 2 A Tjm 175 V(BR)CBO ICB=0.1mA 140 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 140 V ICBO VCB=30V 1.0 A ICEO VCE=30V 1.0 A VBEsat 0.5 IC=500mA V IB=50mA VCEsat 1.3 VCE=2V hFE 50 IC=500mA 1. E

Другие транзисторы: 3DG4081W, 3DG4097, 3DG4115S, 3DG4155A, 3DG42, 3DG4401, 3DG458, 3DG5088, BD333, 3DG512C, 3DG531, 3DG535, 3DG536KM, 3DG536M, 3DG5401, 3DG5551, 3DG5770

 

 

 

 

↑ Back to Top
.