3DG531 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DG531
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.7 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
Tensión emisor-base (Veb): 3 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 1000 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 20
Encapsulados: TO18
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3DG531 datasheet
3dg531.pdf
3DG531(FG531) NPN A B C D PCM TA=25 700 mW ICM 200 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 30 40 50 V V(BR)CEO ICE=1mA 25 35 40 V V(BR)EBO IEB=1mA 3.0 4.0 V ICEO VCE=20V 0.5 mA IC=100mA VCEsat 0.5 V IB=10mA VCE=10V hFE 20 IC=5
br3dg536k.pdf
2SC536(BR3DG536K) 2SC536K(BR3DG536K) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-92 NPN Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package. / Features Large current capacity and wide ASO / Applications Small signal general purpose amplifier appl
3dg536km.pdf
2SC536M(3DG536M) 2SC536KM(3DG536KM) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose Small signal general purpose amplifier applications. /Absolute Maximum Ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit 3DG536M 40 V CBO V 3DG536KM 55 3DG536M 30 V V CEO 3DG536KM 50 V 5.0 V EBO I 10
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History: 2SA1276 | BC858 | KSH50I | KSP8598
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Liste
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