3DG531 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 3DG531
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.7 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 1000 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO18

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 3DG531

3DG531 Datasheet (PDF)

..1. Size:109K china
3dg531.pdf

3DG531(FG531) NPN A B C D PCM TA=25 700 mW ICM 200 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 30 40 50 V V(BR)CEO ICE=1mA 25 35 40 V V(BR)EBO IEB=1mA 3.0 4.0 V ICEO VCE=20V 0.5 mA IC=100mA VCEsat 0.5 V IB=10mA VCE=10V hFE 20 IC=5

9.1. Size:620K blue-rocket-elect
br3dg536k.pdf

2SC536(BR3DG536K) 2SC536K(BR3DG536K) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-92 NPN Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package. / Features Large current capacity and wide ASO / Applications Small signal general purpose amplifier appl

9.2. Size:219K lzg
3dg536km.pdf

2SC536M(3DG536M) 2SC536KM(3DG536KM) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Small signal general purpose amplifier applications. /Absolute Maximum Ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit 3DG536M 40 VCBO V 3DG536KM 55 3DG536M 30 V V CEO 3DG536KM 50 V 5.0 V EBOI 10

9.3. Size:192K lzg
3dg535.pdf

2SC535(3DG535) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : VHF ,, Purpose: VHF amplifier, mixer, local oscillator. /Absolute Maximum Ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 30 V CBO V 20 V CEO V 4.0 V EBO I 20 mA C P 100 mW C T 150 j T -55150 stg

9.4. Size:219K lzg
3dg536m.pdf