3DG531 - описание и поиск аналогов

 

3DG531. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DG531

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.7 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1000 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для 3DG531

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG531 даташит

 ..1. Size:109K  china
 3dg531.pdf pdf_icon

3DG531

3DG531(FG531) NPN A B C D PCM TA=25 700 mW ICM 200 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 30 40 50 V V(BR)CEO ICE=1mA 25 35 40 V V(BR)EBO IEB=1mA 3.0 4.0 V ICEO VCE=20V 0.5 mA IC=100mA VCEsat 0.5 V IB=10mA VCE=10V hFE 20 IC=5

 9.1. Size:620K  blue-rocket-elect
 br3dg536k.pdf pdf_icon

3DG531

2SC536(BR3DG536K) 2SC536K(BR3DG536K) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-92 NPN Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package. / Features Large current capacity and wide ASO / Applications Small signal general purpose amplifier appl

 9.2. Size:219K  lzg
 3dg536km.pdf pdf_icon

3DG531

2SC536M(3DG536M) 2SC536KM(3DG536KM) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose Small signal general purpose amplifier applications. /Absolute Maximum Ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit 3DG536M 40 V CBO V 3DG536KM 55 3DG536M 30 V V CEO 3DG536KM 50 V 5.0 V EBO I 10

 9.3. Size:192K  lzg
 3dg535.pdf pdf_icon

3DG531

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3DG4115S, 3DG4155A, 3DG42, 3DG4401, 3DG458, 3DG5088, 3DG512B, 3DG512C, BD222, 3DG535, 3DG536KM, 3DG536M, 3DG5401, 3DG5551, 3DG5770, 3DG6, 3DG639

 

 

 

 

↑ Back to Top
.