3DG5401 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DG5401
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
Tensión colector-base (Vcb): 180 V
Tensión colector-emisor (Vce): 160 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 50 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 2.5 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 50
Encapsulados: TO92
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3DG5401 datasheet
3dg5401.pdf
2N5401(3CG5401) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR /Purpose General purpose high voltage amplifier , 2N5551(3DG5551) /Features High voltages, complementary pair.With 2N5551(3DG5551) /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -180 V CB
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