3DG5401 Todos los transistores

 

3DG5401 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DG5401
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
   Tensión colector-base (Vcb): 180 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 160 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 2.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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3DG5401 Datasheet (PDF)

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3DG5401

2N5401(3CG5401) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: General purpose high voltage amplifier :, 2N5551(3DG5551)/Features: High voltages, complementary pair.With 2N5551(3DG5551) /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -180 V CB

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History: BD433-25 | BD940 | 40316

 

 
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