3DG5401 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DG5401  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DG5401

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG5401 даташит

 ..1. Size:245K  lzg
 3dg5401.pdf pdf_icon

3DG5401

2N5401(3CG5401) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR /Purpose General purpose high voltage amplifier , 2N5551(3DG5551) /Features High voltages, complementary pair.With 2N5551(3DG5551) /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -180 V CB

Другие транзисторы: 3DG458, 3DG5088, 3DG512B, 3DG512C, 3DG531, 3DG535, 3DG536KM, 3DG536M, 2SC5200, 3DG5551, 3DG5770, 3DG6, 3DG639, 3DG6520, 3DG718A, 3DG720, 3DG752TM