Справочник транзисторов. 3DG5401

 

Биполярный транзистор 3DG5401 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 3DG5401
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 3DG5401

 

 

3DG5401 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:245K  lzg
3dg5401.pdf

3DG5401 3DG5401

2N5401(3CG5401) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: General purpose high voltage amplifier :, 2N5551(3DG5551)/Features: High voltages, complementary pair.With 2N5551(3DG5551) /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -180 V CB

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 2SC945 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top