Справочник транзисторов. 3DG5401

 

Биполярный транзистор 3DG5401 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3DG5401
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO92
 

 Аналог (замена) для 3DG5401

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG5401 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:245K  lzg
 3dg5401.pdf pdf_icon

3DG5401

2N5401(3CG5401) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: General purpose high voltage amplifier :, 2N5551(3DG5551)/Features: High voltages, complementary pair.With 2N5551(3DG5551) /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -180 V CB

Другие транзисторы... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , D667 , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .

 

 
Back to Top

 


 
.