Биполярный транзистор 3DG5401 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DG5401
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: TO92
3DG5401 Datasheet (PDF)
..1. Size:245K lzg
3dg5401.pdf
3dg5401.pdf
2N5401(3CG5401) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: General purpose high voltage amplifier :, 2N5551(3DG5551)/Features: High voltages, complementary pair.With 2N5551(3DG5551) /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -180 V CB
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050 | HSA1037AKS | HSA1037AKR | HSA1037AKQ