3DG5551 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DG5551
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
Tensión colector-base (Vcb): 180 V
Tensión colector-emisor (Vce): 160 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 50 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 2.2 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 50
Encapsulados: TO92
Búsqueda de reemplazo de 3DG5551
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
3DG5551 datasheet
3dg5551.pdf
2N5551(3DG5551) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR /Purpose General purpose high voltage amplifier. , 2N5401(3CG5401) /Features High voltage, complementary Pair with 2N5401(3CG5401). /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 180 V CBO V 1
Otros transistores... 3DG5088 , 3DG512B , 3DG512C , 3DG531 , 3DG535 , 3DG536KM , 3DG536M , 3DG5401 , 2N3904 , 3DG5770 , 3DG6 , 3DG639 , 3DG6520 , 3DG718A , 3DG720 , 3DG752TM , 3DG8 .
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sd438 | a1492 | hy4008 | ncep039n10m | 20n50 | 2sc869 | tip29 transistor equivalent | 2n555