3DG5551 - описание и поиск аналогов

 

3DG5551. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DG5551

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 3DG5551

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG5551 даташит

 ..1. Size:220K  lzg
 3dg5551.pdf pdf_icon

3DG5551

2N5551(3DG5551) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR /Purpose General purpose high voltage amplifier. , 2N5401(3CG5401) /Features High voltage, complementary Pair with 2N5401(3CG5401). /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 180 V CBO V 1

Другие транзисторы... 3DG5088 , 3DG512B , 3DG512C , 3DG531 , 3DG535 , 3DG536KM , 3DG536M , 3DG5401 , 2N3904 , 3DG5770 , 3DG6 , 3DG639 , 3DG6520 , 3DG718A , 3DG720 , 3DG752TM , 3DG8 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.