Справочник транзисторов. 3DG5551

 

Биполярный транзистор 3DG5551 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 3DG5551
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.2 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 3DG5551

 

 

3DG5551 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:220K  lzg
3dg5551.pdf

3DG5551 3DG5551

2N5551(3DG5551) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :/Purpose: General purpose high voltage amplifier. :, 2N5401(3CG5401)/Features: High voltage, complementary Pair with 2N5401(3CG5401). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 180 V CBO V 1

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 2SC945 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top