Справочник транзисторов. 3DG5551

 

Биполярный транзистор 3DG5551 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3DG5551
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.2 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO92
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

3DG5551 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:220K  lzg
 3dg5551.pdf pdf_icon

3DG5551

2N5551(3DG5551) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :/Purpose: General purpose high voltage amplifier. :, 2N5401(3CG5401)/Features: High voltage, complementary Pair with 2N5401(3CG5401). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 180 V CBO V 1

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: 2SD1576 | DRC4144E | BC847CMTF | 3DD13003_S1D | CXTA14 | CZT5338

 

 
Back to Top

 


 
.