Справочник транзисторов. 3DG5551

 

Биполярный транзистор 3DG5551 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3DG5551
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.2 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO92
 

 Аналог (замена) для 3DG5551

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG5551 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:220K  lzg
 3dg5551.pdf pdf_icon

3DG5551

2N5551(3DG5551) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :/Purpose: General purpose high voltage amplifier. :, 2N5401(3CG5401)/Features: High voltage, complementary Pair with 2N5401(3CG5401). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 180 V CBO V 1

Другие транзисторы... 3DG5088 , 3DG512B , 3DG512C , 3DG531 , 3DG535 , 3DG536KM , 3DG536M , 3DG5401 , 2N3055 , 3DG5770 , 3DG6 , 3DG639 , 3DG6520 , 3DG718A , 3DG720 , 3DG752TM , 3DG8 .

 

 
Back to Top

 


 
.