3DG5770 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DG5770
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
Tensión emisor-base (Veb): 4.5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 600 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 1.1 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 50
Encapsulados: TO92
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3DG5770 datasheet
3dg5770.pdf
2N5770(3DG5770) NPN /SILION NPN TRANSISTOR 1.0mA 30mA Purpose Use as RF amplifiers, oscillators and multipliers with collector currents in the 1.0mA 30mA range. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 30 V CBO V 15
Otros transistores... 3DG512B , 3DG512C , 3DG531 , 3DG535 , 3DG536KM , 3DG536M , 3DG5401 , 3DG5551 , 2N2222 , 3DG6 , 3DG639 , 3DG6520 , 3DG718A , 3DG720 , 3DG752TM , 3DG8 , 3DG8050 .
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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