3DG5770 Todos los transistores

 

3DG5770 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DG5770
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4.5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 600 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 1.1 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: TO92
     - Selección de transistores por parámetros

 

3DG5770 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:268K  lzg
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3DG5770

2N5770(3DG5770) NPN /SILION NPN TRANSISTOR : 1.0mA30mA Purpose: Use as RF amplifiers, oscillators and multipliers with collector currents in the 1.0mA30mA range. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 30 V CBO V 15

Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: 3DG2413K | BC848CW-G | 2SA1706T-AN | RT3YB7M | 2SA815 | 2SA795A

 

 
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