3DG5770 Todos los transistores

 

3DG5770 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DG5770
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4.5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 600 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 1.1 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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3DG5770 Datasheet (PDF)

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3DG5770

2N5770(3DG5770) NPN /SILION NPN TRANSISTOR : 1.0mA30mA Purpose: Use as RF amplifiers, oscillators and multipliers with collector currents in the 1.0mA30mA range. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 30 V CBO V 15

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