3DG5770 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DG5770
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
Tensión emisor-base (Veb): 4.5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 600 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 1.1 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
Paquete / Cubierta: TO92
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3DG5770 Datasheet (PDF)
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2N5770(3DG5770) NPN /SILION NPN TRANSISTOR : 1.0mA30mA Purpose: Use as RF amplifiers, oscillators and multipliers with collector currents in the 1.0mA30mA range. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 30 V CBO V 15
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