Справочник транзисторов. 3DG5770

 

Биполярный транзистор 3DG5770 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3DG5770
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 600 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.1 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO92
 

 Аналог (замена) для 3DG5770

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG5770 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:268K  lzg
 3dg5770.pdf pdf_icon

3DG5770

2N5770(3DG5770) NPN /SILION NPN TRANSISTOR : 1.0mA30mA Purpose: Use as RF amplifiers, oscillators and multipliers with collector currents in the 1.0mA30mA range. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 30 V CBO V 15

Другие транзисторы... 3DG512B , 3DG512C , 3DG531 , 3DG535 , 3DG536KM , 3DG536M , 3DG5401 , 3DG5551 , C1815 , 3DG6 , 3DG639 , 3DG6520 , 3DG718A , 3DG720 , 3DG752TM , 3DG8 , 3DG8050 .

History: TMPTA63 | 2SD1692Y | HUN2132 | 2SD1408Y | MMBT9013-G

 

 
Back to Top

 


 
.