Справочник транзисторов. 3DG5770

 

Биполярный транзистор 3DG5770 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 3DG5770

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 600 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.1 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50

Корпус транзистора: TO92

Аналоги (замена) для 3DG5770

 

 

3DG5770 Datasheet (PDF)

1.1. 3dg5770.pdf Size:268K _china

3DG5770
3DG5770

2N5770(3DG5770) 硅 NPN 半导体三极管/SILION NPN TRANSISTOR 用途:用于集电极电流在 1.0mA~30mA 之间的射频放大,振荡和倍频电路。 Purpose: Use as RF amplifiers, oscillators and multipliers with collector currents in the 1.0mA~30mA range. 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 Symbol Rating Unit V 30 V CBO V 15

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 9012 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top

 


3DG5770
  3DG5770
  3DG5770
 

social 

Список транзисторов

Обновления

BJT: CHDTC114EKPT | CE1A3Q | 2SC6089 | 2SC4714 | 2SD1047C | 2SB817C | FW26025A1 | 2T665B9 | 2T665A9 | MJ13001A | HSC2682 | MRF660 | MP1620 | HLD133D | BFR360F | AV8050S | 3DD5027 | 3DD2901 | 3DD2102 | 3DD313 |

 

 

 

 

Back to Top