Биполярный транзистор 3DG5770 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DG5770
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 600 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.1 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: TO92
3DG5770 Datasheet (PDF)
..1. Size:268K lzg
3dg5770.pdf
3dg5770.pdf
2N5770(3DG5770) NPN /SILION NPN TRANSISTOR : 1.0mA30mA Purpose: Use as RF amplifiers, oscillators and multipliers with collector currents in the 1.0mA30mA range. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 30 V CBO V 15
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP42 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050