Биполярный транзистор 3DG5770 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DG5770
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 600 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.1 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: TO92
3DG5770 Datasheet (PDF)
1.1. 3dg5770.pdf 
Size:268K _china
2N5770(3DG5770) 硅 NPN 半导体三极管/SILION NPN TRANSISTOR 用途:用于集电极电流在 1.0mA～30mA 之间的射频放大，振荡和倍频电路。 Purpose: Use as RF amplifiers, oscillators and multipliers with collector currents in the 1.0mA～30mA range. 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 Symbol Rating Unit V 30 V CBO V 15
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 9012 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
