3DG5770 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DG5770  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 600 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.1 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DG5770

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG5770 даташит

 ..1. Size:268K  lzg
 3dg5770.pdf pdf_icon

3DG5770

2N5770(3DG5770) NPN /SILION NPN TRANSISTOR 1.0mA 30mA Purpose Use as RF amplifiers, oscillators and multipliers with collector currents in the 1.0mA 30mA range. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 30 V CBO V 15

Другие транзисторы: 3DG512B, 3DG512C, 3DG531, 3DG535, 3DG536KM, 3DG536M, 3DG5401, 3DG5551, 2N2222, 3DG6, 3DG639, 3DG6520, 3DG718A, 3DG720, 3DG752TM, 3DG8, 3DG8050