3DG752TM Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DG752TM
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 200 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 40
Encapsulados: TO92
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3DG752TM datasheet
3dg752tm.pdf
2SC752TM(3DG752TM) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR /Purpose Ultra high speed switching applications. /Absolute Maximum Ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V CBO 40 V V 15 V CEO V 5.0 V EBO I 200 mA C I 40 mA B P 400 mW C T 150 j T -55 150 stg /
Otros transistores... 3DG5401 , 3DG5551 , 3DG5770 , 3DG6 , 3DG639 , 3DG6520 , 3DG718A , 3DG720 , BC548 , 3DG8 , 3DG8050 , 3DG8050A , 3DG8050M , 3DG8051 , 3DG817 , 3DG82 , 3DG847B .
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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