3DG752TM Todos los transistores

 

3DG752TM . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DG752TM
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO92

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3DG752TM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:205K  lzg
 3dg752tm.pdf

3DG752TM 3DG752TM

2SC752TM(3DG752TM) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :/Purpose: Ultra high speed switching applications. /Absolute Maximum Ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit VCBO 40 V V 15 V CEO V 5.0 V EBO I 200 mA C I 40 mA B P 400 mW C T 150 j T -55150 stg /

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History: BF248-3 | 2N2460 | 2N2528

 

 
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