Справочник транзисторов. 3DG752TM

 

Биполярный транзистор 3DG752TM Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3DG752TM
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO92
 

 Аналог (замена) для 3DG752TM

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG752TM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:205K  lzg
 3dg752tm.pdf pdf_icon

3DG752TM

2SC752TM(3DG752TM) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :/Purpose: Ultra high speed switching applications. /Absolute Maximum Ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit VCBO 40 V V 15 V CEO V 5.0 V EBO I 200 mA C I 40 mA B P 400 mW C T 150 j T -55150 stg /

Другие транзисторы... 3DG5401 , 3DG5551 , 3DG5770 , 3DG6 , 3DG639 , 3DG6520 , 3DG718A , 3DG720 , 2N3904 , 3DG8 , 3DG8050 , 3DG8050A , 3DG8050M , 3DG8051 , 3DG817 , 3DG82 , 3DG847B .

 

 
Back to Top

 


 
.