3DG752TM datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DG752TM  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DG752TM

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG752TM даташит

 ..1. Size:205K  lzg
 3dg752tm.pdf pdf_icon

3DG752TM

2SC752TM(3DG752TM) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR /Purpose Ultra high speed switching applications. /Absolute Maximum Ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V CBO 40 V V 15 V CEO V 5.0 V EBO I 200 mA C I 40 mA B P 400 mW C T 150 j T -55 150 stg /

Другие транзисторы: 3DG5401, 3DG5551, 3DG5770, 3DG6, 3DG639, 3DG6520, 3DG718A, 3DG720, C1815, 3DG8, 3DG8050, 3DG8050A, 3DG8050M, 3DG8051, 3DG817, 3DG82, 3DG847B