Справочник транзисторов. 3DG752TM

 

Биполярный транзистор 3DG752TM - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 3DG752TM
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 3DG752TM

 

 

3DG752TM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:205K  lzg
3dg752tm.pdf

3DG752TM
3DG752TM

2SC752TM(3DG752TM) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :/Purpose: Ultra high speed switching applications. /Absolute Maximum Ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit VCBO 40 V V 15 V CEO V 5.0 V EBO I 200 mA C I 40 mA B P 400 mW C T 150 j T -55150 stg /

Другие транзисторы... BC507FA , BC507FB , BC508 , BC508A , BC508B , BC508C , BC508F , BC508FA , 2N3055 , BC508FC , BC509 , BC509B , BC509C , BC509F , BC509FB , BC509FC , BC510 .

 

 
Back to Top