3DG8051 Todos los transistores

 

3DG8051 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DG8051
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.75 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO92L
 

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3DG8051 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:109K  jiangsu
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3DG8051

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92L Plastic-Encapsulate Transistors TO 92L 3DG8051 TRANSISTOR (NPN) 1. EMITTER 2. COLLECTOR FEATURES General Purpose Switching Application 3. BASE Complementary to 3CG8551 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Vol

 8.1. Size:553K  jilin sino
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3DG8051

NPN NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR R3DG8050 MAIN CHARACTERISTICS Package I 1.5A CV 25V CEOP 1W C APPLICATIONS High frequency switching power supply High frequency power transform Commonly power amplifier circuit TO-92

 8.2. Size:120K  china
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3DG8051

3DG8050 NPN PCM TA=25 330 mW ICM 300 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB0.1mA 30 V V(BR)CEO ICE0.1mA 25 V V(BR)EBO IEB0.1mA 6.0 V ICBO VCB=20V 0.1 A VBEsat 1.2 V IC=50mA IB=5mA VCEsat 0.5 V VCE=1V hFE 20~100 IC=0.

 8.3. Size:281K  foshan
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3DG8051

S8050M(3DG8050M) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :/Purpose: Power amplifier applications. : S8550M(3CG8550M)/Features: Complementary pair with S8550M(3CG8550M). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 40 V CBO V 25 V CEO V 6.0 V EBO I 800 mA C

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