Справочник транзисторов. 3DG8051

 

Биполярный транзистор 3DG8051 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 3DG8051
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO92L

 Аналоги (замена) для 3DG8051

 

 

3DG8051 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:109K  jiangsu
3dg8051.pdf

3DG8051

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92L Plastic-Encapsulate Transistors TO 92L 3DG8051 TRANSISTOR (NPN) 1. EMITTER 2. COLLECTOR FEATURES General Purpose Switching Application 3. BASE Complementary to 3CG8551 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Vol

 8.1. Size:553K  jilin sino
3dg8050.pdf

3DG8051
3DG8051

NPN NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR R3DG8050 MAIN CHARACTERISTICS Package I 1.5A CV 25V CEOP 1W C APPLICATIONS High frequency switching power supply High frequency power transform Commonly power amplifier circuit TO-92

 8.2. Size:120K  china
3dg8050.pdf

3DG8051

3DG8050 NPN PCM TA=25 330 mW ICM 300 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB0.1mA 30 V V(BR)CEO ICE0.1mA 25 V V(BR)EBO IEB0.1mA 6.0 V ICBO VCB=20V 0.1 A VBEsat 1.2 V IC=50mA IB=5mA VCEsat 0.5 V VCE=1V hFE 20~100 IC=0.

 8.3. Size:281K  foshan
3dg8050m.pdf

3DG8051
3DG8051

S8050M(3DG8050M) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :/Purpose: Power amplifier applications. : S8550M(3CG8550M)/Features: Complementary pair with S8550M(3CG8550M). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 40 V CBO V 25 V CEO V 6.0 V EBO I 800 mA C

 8.4. Size:189K  lzg
3dg8050a.pdf

3DG8051
3DG8051

S8050A(3DG8050A) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Amplifier of portable radios in class B push-pull operation. :P I , S8550A(3CG8550A) C CFeatures: High P ,I , complementary pair with S8550A(3CG8550A). C C/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
Back to Top