3DG8051 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DG8051

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO92L

 Аналоги (замена) для 3DG8051

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG8051 даташит

 ..1. Size:109K  jiangsu
 3dg8051.pdf pdf_icon

3DG8051

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92L Plastic-Encapsulate Transistors TO 92L 3DG8051 TRANSISTOR (NPN) 1. EMITTER 2. COLLECTOR FEATURES General Purpose Switching Application 3. BASE Complementary to 3CG8551 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Vol

 8.1. Size:553K  jilin sino
 3dg8050.pdf pdf_icon

3DG8051

 8.2. Size:120K  china
 3dg8050.pdf pdf_icon

3DG8051

3DG8050 NPN PCM TA=25 330 mW ICM 300 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB 0.1mA 30 V V(BR)CEO ICE 0.1mA 25 V V(BR)EBO IEB 0.1mA 6.0 V ICBO VCB=20V 0.1 A VBEsat 1.2 V IC=50mA IB=5mA VCEsat 0.5 V VCE=1V hFE 20 100 IC=0.

 8.3. Size:281K  foshan
 3dg8050m.pdf pdf_icon

3DG8051

S8050M(3DG8050M) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR /Purpose Power amplifier applications. S8550M(3CG8550M) /Features Complementary pair with S8550M(3CG8550M). /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 40 V CBO V 25 V CEO V 6.0 V EBO I 800 mA C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3DG6520, 3DG718A, 3DG720, 3DG752TM, 3DG8, 3DG8050, 3DG8050A, 3DG8050M, 2SA1943, 3DG817, 3DG82, 3DG847B, 3DG9013, 3DG9014, 3DG930, 3DG945, 3DG945M