3DG817 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DG817
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 100 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 40
Encapsulados: SOT23
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3DG817 datasheet
3dg817.pdf
LJ2015-12 3DG817 NPN P T =25 250 mW CM A I 500 mA C I 1000 mA CM T 150 jm T -55 150 stg V I =0.1mA 50 V (BR)CBO CB V I =10mA 45 V (BR)CEO CE V I =0.1mA 5.0 V (BR)EBO EB I V =20V 0.1 A CBO CB I V =5V 0.1 A EBO EB
Otros transistores... 3DG718A , 3DG720 , 3DG752TM , 3DG8 , 3DG8050 , 3DG8050A , 3DG8050M , 3DG8051 , TIP122 , 3DG82 , 3DG847B , 3DG9013 , 3DG9014 , 3DG930 , 3DG945 , 3DG945M , 3DK001 .
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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