3DG817 - описание и поиск аналогов

 

3DG817. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DG817

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для 3DG817

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG817 даташит

 ..1. Size:91K  china
 3dg817.pdf pdf_icon

3DG817

LJ2015-12 3DG817 NPN P T =25 250 mW CM A I 500 mA C I 1000 mA CM T 150 jm T -55 150 stg V I =0.1mA 50 V (BR)CBO CB V I =10mA 45 V (BR)CEO CE V I =0.1mA 5.0 V (BR)EBO EB I V =20V 0.1 A CBO CB I V =5V 0.1 A EBO EB

Другие транзисторы... 3DG718A , 3DG720 , 3DG752TM , 3DG8 , 3DG8050 , 3DG8050A , 3DG8050M , 3DG8051 , TIP122 , 3DG82 , 3DG847B , 3DG9013 , 3DG9014 , 3DG930 , 3DG945 , 3DG945M , 3DK001 .

History: BC522 | BC451C | BC460-5

 

 

 


 
↑ Back to Top
.