Справочник транзисторов. 3DG817

 

Биполярный транзистор 3DG817 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3DG817
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для 3DG817

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG817 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:91K  china
 3dg817.pdf pdf_icon

3DG817

LJ2015-123DG817 NPN P T =25 250 mWCM AI 500 mAC I 1000 mACMT 150 jmT -55~150 stgV I =0.1mA 50 V(BR)CBO CBV I =10mA 45 V(BR)CEO CEV I =0.1mA 5.0 V(BR)EBO EBI V =20V 0.1 A CBO CB I V =5V 0.1 AEBO EB

Другие транзисторы... 3DG718A , 3DG720 , 3DG752TM , 3DG8 , 3DG8050 , 3DG8050A , 3DG8050M , 3DG8051 , 2SA1943 , 3DG82 , 3DG847B , 3DG9013 , 3DG9014 , 3DG930 , 3DG945 , 3DG945M , 3DK001 .

History: 2SD986R | FM709 | 3CA150B | GE6061 | NESG2046M33 | 2SC779

 

 
Back to Top

 


 
.