3DG847B Todos los transistores

 

3DG847B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DG847B
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.33 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: TO92 SOT23 TO18
 

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3DG847B Datasheet (PDF)

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3DG847B

3DG847B(BC847B) NPN PCM TA=25 330 mW ICM 200 mA Tjm 150 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB0.01mA 50 V V(BR)CEO ICE10mA 45 V V(BR)EBO IEB0.001mA 6.0 V ICBO VCB=40V 15 mA IEBO VEB=5.0V 1.0 mA VBEsat 0.77 V IC=100mA IB=5mA VCEsat

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History: 2N5551DCSM | MMBT4401GH | 2N480A | MMBT4126LT1G

 

 
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