3DG847B datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: 3DG847B 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.33 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для 3DG847B
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
3DG847B даташит
Другие транзисторы: 3DG752TM, 3DG8, 3DG8050, 3DG8050A, 3DG8050M, 3DG8051, 3DG817, 3DG82, 13007, 3DG9013, 3DG9014, 3DG930, 3DG945, 3DG945M, 3DK001, 3DK002, 3DK010
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
History: ECG293 | ECG29 | ECG288
🌐 : EN
ES
РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
2sd551 | ac128 datasheet | 2n5496 | 2sb600 | 2sa1209 | 2sc1364 replacement | 2sd665 | 7506 mosfet datasheet

