Справочник транзисторов. 3DG847B

 

Биполярный транзистор 3DG847B - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 3DG847B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.33 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200

Корпус транзистора: TO92_SOT23_TO18

Аналоги (замена) для 3DG847B

 

 

3DG847B Datasheet (PDF)

1.1. 3dg847b.pdf Size:124K _china

3DG847B

3DG847B(BC847B)型 NPN 硅高频小功率晶体管 参数符号 测试条件 规范值 单位 PCM TA=25℃ 330 mW 极 ICM 200 mA 限 Tjm 150 ℃ 值 Tstg -55~150 ℃ V(BR)CBO ICB=0.01mA ≥50 V V(BR)CEO ICE=10mA ≥45 V V(BR)EBO IEB=0.001mA ≥6.0 V 直 ICBO VCB=40V ≤15 mA 流 IEBO VEB=5.0V ≤1.0 mA 参 VBEsat ≤0.77 V IC=100mA 数 IB=5mA VCEsat

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 9012 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top

 


3DG847B
  3DG847B
  3DG847B
 

social 

Список транзисторов

Обновления

BJT: CHDTC114EKPT | CE1A3Q | 2SC6089 | 2SC4714 | 2SD1047C | 2SB817C | FW26025A1 | 2T665B9 | 2T665A9 | MJ13001A | HSC2682 | MRF660 | MP1620 | HLD133D | BFR360F | AV8050S | 3DD5027 | 3DD2901 | 3DD2102 | 3DD313 |

 

 

 

 

Back to Top