Биполярный транзистор 3DG847B - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DG847B
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.33 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: TO92_SOT23_TO18
3DG847B Datasheet (PDF)
1.1. 3dg847b.pdf 
Size:124K _china
3DG847B(BC847B)型 NPN 硅高频小功率晶体管 参数符号 测试条件 规范值 单位 PCM TA=25℃ 330 mW 极 ICM 200 mA 限 Tjm 150 ℃ 值 Tstg -55~150 ℃ V(BR)CBO ICB＝0.01mA ≥50 V V(BR)CEO ICE＝10mA ≥45 V V(BR)EBO IEB＝0.001mA ≥6.0 V 直 ICBO VCB=40V ≤15 mA 流 IEBO VEB=5.0V ≤1.0 mA 参 VBEsat ≤0.77 V IC=100mA 数 IB=5mA VCEsat
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 9012 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
