Справочник транзисторов. 3DG847B

 

Биполярный транзистор 3DG847B - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 3DG847B
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.33 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: TO92 SOT23 TO18

 Аналоги (замена) для 3DG847B

 

 

3DG847B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:124K  china
3dg847b.pdf

3DG847B

3DG847B(BC847B) NPN PCM TA=25 330 mW ICM 200 mA Tjm 150 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB0.01mA 50 V V(BR)CEO ICE10mA 45 V V(BR)EBO IEB0.001mA 6.0 V ICBO VCB=40V 15 mA IEBO VEB=5.0V 1.0 mA VBEsat 0.77 V IC=100mA IB=5mA VCEsat

Другие транзисторы... BC507FA , BC507FB , BC508 , BC508A , BC508B , BC508C , BC508F , BC508FA , 2N3055 , BC508FC , BC509 , BC509B , BC509C , BC509F , BC509FB , BC509FC , BC510 .

 

 
Back to Top