3DG847B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DG847B  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.33 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: TO92 SOT23 TO18

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DG847B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG847B даташит

 ..1. Size:124K  china
3dg847b.pdfpdf_icon

3DG847B

Другие транзисторы: 3DG752TM, 3DG8, 3DG8050, 3DG8050A, 3DG8050M, 3DG8051, 3DG817, 3DG82, 13007, 3DG9013, 3DG9014, 3DG930, 3DG945, 3DG945M, 3DK001, 3DK002, 3DK010