Биполярный транзистор 3DG847B - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DG847B
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.33 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: TO92, SOT23, TO18
3DG847B Datasheet (PDF)
1.1. 3dg847b.pdf 
Size:124K _china
3DG847B(BC847B)型 NPN 硅高频小功率晶体管 参数符号 测试条件 规范值 单位 PCM TA=25℃ 330 mW 极 ICM 200 mA 限 Tjm 150 ℃ 值 Tstg -55~150 ℃ V(BR)CBO ICB＝0.01mA ≥50 V V(BR)CEO ICE＝10mA ≥45 V V(BR)EBO IEB＝0.001mA ≥6.0 V 直 ICBO VCB=40V ≤15 mA 流 IEBO VEB=5.0V ≤1.0 mA 参 VBEsat ≤0.77 V IC=100mA 数 IB=5mA VCEsat
Другие транзисторы... 2SC619 , 2SC62 , 2SC620 , 2SC620M , 2SC621 , 2SC621A , 2SC621M , 2SC622 , 2N5401 , 2SC623 , 2SC624 , 2SC626 , 2SC627 , 2SC627F , 2SC628 , 2SC629 , 2SC63 .
