3DG9013 Todos los transistores

 

3DG9013 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DG9013
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 64
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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3DG9013 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:563K  jilin sino
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3DG9013

NPN NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR R3DG9013 MAIN CHARACTERISTICS Package I 500mA CV 20V CEOP 625mW C APPLICATIONS High frequency switching power supply High frequency power transform Commonly power amplifier circuit TO-92

 ..2. Size:222K  foshan
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3DG9013

9013(3DG9013) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Amplifier of portable radios in class B push-pull operation. :P I , h , 9012(3CG9012) C C FEFeatures: High P and I , excellent h linearity, complementary pair with 9012(3CG9012). C C FE/Absolute maximum ratings(Ta=25)

 8.1. Size:245K  lzg
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3DG9013

S9014(3DG9014) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Low frequency, low noise amplifier. :P ,h , S9015(3CG9015) C FEFeatures: High P and h excellent h linearity, complementary pair with S9015(3CG9015). C FE FE/Absolute maximum ratings(Ta=25)

Otros transistores... 3DG8 , 3DG8050 , 3DG8050A , 3DG8050M , 3DG8051 , 3DG817 , 3DG82 , 3DG847B , 2SD718 , 3DG9014 , 3DG930 , 3DG945 , 3DG945M , 3DK001 , 3DK002 , 3DK010 , 3DK023F .

History: STC2073L | BCW65B | GF501 | MG100H2DL1 | 2SC1025 | DRC9144V | PBSS4350T

 

 
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