Биполярный транзистор 3DG9013 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DG9013
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 64
Корпус транзистора: TO92
3DG9013 Datasheet (PDF)
3dg9013.pdf
NPN NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR R3DG9013 MAIN CHARACTERISTICS Package I 500mA CV 20V CEOP 625mW C APPLICATIONS High frequency switching power supply High frequency power transform Commonly power amplifier circuit TO-92
3dg9013.pdf
9013(3DG9013) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Amplifier of portable radios in class B push-pull operation. :P I , h , 9012(3CG9012) C C FEFeatures: High P and I , excellent h linearity, complementary pair with 9012(3CG9012). C C FE/Absolute maximum ratings(Ta=25)
3dg9014.pdf
S9014(3DG9014) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Low frequency, low noise amplifier. :P ,h , S9015(3CG9015) C FEFeatures: High P and h excellent h linearity, complementary pair with S9015(3CG9015). C FE FE/Absolute maximum ratings(Ta=25)
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050