3DG930 Todos los transistores

 

3DG930 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DG930
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 170 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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3DG930 Datasheet (PDF)

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3DG930

2SC930(3DG930) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :, Purpose: RF amplifier, mixer OSC, converter, and IF amplifier. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 30 V CBO V 20 V CEO V 5.0 V EBO I 30 mA C P 250 mW C T 150 j T -55

Otros transistores... 3DG8050A , 3DG8050M , 3DG8051 , 3DG817 , 3DG82 , 3DG847B , 3DG9013 , 3DG9014 , A1941 , 3DG945 , 3DG945M , 3DK001 , 3DK002 , 3DK010 , 3DK023F , 3DK024E , 3DK030 .

History: CA3251F

 

 
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