Биполярный транзистор 3DG930 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: 3DG930
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 170 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO92
     - подбор биполярного транзистора по параметрам