Справочник транзисторов. 3DG930

 

Биполярный транзистор 3DG930 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3DG930
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 170 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO92
 

 Аналог (замена) для 3DG930

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG930 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:272K  lzg
 3dg930.pdf pdf_icon

3DG930

2SC930(3DG930) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :, Purpose: RF amplifier, mixer OSC, converter, and IF amplifier. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 30 V CBO V 20 V CEO V 5.0 V EBO I 30 mA C P 250 mW C T 150 j T -55

Другие транзисторы... 3DG8050A , 3DG8050M , 3DG8051 , 3DG817 , 3DG82 , 3DG847B , 3DG9013 , 3DG9014 , A1941 , 3DG945 , 3DG945M , 3DK001 , 3DK002 , 3DK010 , 3DK023F , 3DK024E , 3DK030 .

History: RCA9116E | NPS4355 | KT634A-2 | SRA2210E

 

 
Back to Top

 


 
.