Биполярный транзистор 3DG930 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DG930
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 170 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO92
3DG930 Datasheet (PDF)
..1. Size:272K lzg
3dg930.pdf![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
3dg930.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
2SC930(3DG930) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :, Purpose: RF amplifier, mixer OSC, converter, and IF amplifier. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 30 V CBO V 20 V CEO V 5.0 V EBO I 30 mA C P 250 mW C T 150 j T -55
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
![3DG930](https://alltransistors.com/images/us.png)
![3DG930](https://alltransistors.com/images/es.png)
![3DG930](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
BJT: 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050 | HSA1037AKS | HSA1037AKR | HSA1037AKQ