Справочник транзисторов. 3DG930

 

Биполярный транзистор 3DG930 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 3DG930

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 170 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40

Корпус транзистора: TO92

Аналоги (замена) для 3DG930

 

 

3DG930 Datasheet (PDF)

1.1. 3dg930.pdf Size:272K _china

3DG930
3DG930

2SC930(3DG930) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于射频放大,混频振荡,变频和中频放大。 Purpose: RF amplifier, mixer OSC, converter, and IF amplifier. 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 Symbol Rating Unit V 30 V CBO V 20 V CEO V 5.0 V EBO I 30 mA C P 250 mW C T 150 ℃ j T -55

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 431 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
Back to Top

 


3DG930
  3DG930
  3DG930
 

social 

Список транзисторов

Обновления

BJT: CHDTC114EKPT | CE1A3Q | 2SC6089 | 2SC4714 | 2SD1047C | 2SB817C | FW26025A1 | 2T665B9 | 2T665A9 | MJ13001A | HSC2682 | MRF660 | MP1620 | HLD133D | BFR360F | AV8050S | 3DD5027 | 3DD2901 | 3DD2102 | 3DD313 |

 

 

 

 

Back to Top