3DK010 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DK010
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
Tensión colector-base (Vcb): 25 V
Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 30 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 15
Encapsulados: TO276AB TO220 TO257
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3DK010 datasheet
3dk010.pdf
3DK010 NPN A B C D E PCM TC=25 10 W ICM 3 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 15 /W IC=0.2A V(BR)CBO ICB=1mA 25 50 100 150 200 V V(BR)CEO ICE=1mA 25 50 100 150 200 V V(BR)EBO IEB=1mA 5.0 V ICBO VCB=20V 1.0 mA ICEO VCE=
Otros transistores... 3DG847B , 3DG9013 , 3DG9014 , 3DG930 , 3DG945 , 3DG945M , 3DK001 , 3DK002 , A1941 , 3DK023F , 3DK024E , 3DK030 , 3DK050 , 3DK10 , 3DK100 , 3DK101 , 3DK102 .
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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