3DK010 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DK010  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO276AB TO220 TO257

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DK010

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DK010 даташит

 ..1. Size:206K  china
 3dk010.pdf pdf_icon

3DK010

3DK010 NPN A B C D E PCM TC=25 10 W ICM 3 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 15 /W IC=0.2A V(BR)CBO ICB=1mA 25 50 100 150 200 V V(BR)CEO ICE=1mA 25 50 100 150 200 V V(BR)EBO IEB=1mA 5.0 V ICBO VCB=20V 1.0 mA ICEO VCE=

Другие транзисторы: 3DG847B, 3DG9013, 3DG9014, 3DG930, 3DG945, 3DG945M, 3DK001, 3DK002, A1941, 3DK023F, 3DK024E, 3DK030, 3DK050, 3DK10, 3DK100, 3DK101, 3DK102