3DK29-II Todos los transistores

 

3DK29-II . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3DK29-II

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 150 MHz

Ganancia de corriente contínua (hfe): 25

Empaquetado / Estuche: TO18

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 3DK29-II

 

3DK29-II Datasheet (PDF)

1.1. 3dk29-ii.pdf Size:24K _china

3DK29-II

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DK29-II NPN Silicon High Frequency M-Power Switch Transistor Features: 1. Using epitaxy planar technology structure. High working frequency. Metallic packaging. 2. Small volume, light weight, easy installation. 3. Use for high frequency oscillation and high frequency switch, high frequency small signal

5.1. 3dk29.pdf Size:169K _china

3DK29-II

3DK29 型 NPN 硅小功率开关晶体管 规范值 参数符号 测试条件 单位 A B C D PCM TC=25℃ 1000 mW 极 ICM 500 mA 限 Tjm 175 ℃ 值 Tstg -55~150 ℃ V(BR)CBO ICB=0.1mA ≥25 ≥40 ≥25 ≥40 V V(BR)CEO ICE=0.1mA ≥15 ≥30 ≥15 ≥30 V V(BR)EBO IEB=0.1mA ≥4.0 V ICBO VCB=10V ≤1.0 μA 直 ICEO VCE=10V ≤2.0 μA 流 参 IEBO VEB=4V ≤1.0

Otros transistores... 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2N2219 , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 , 2SA1815-5 , 2SA182 , 2SA1822 , 2SA183 .

 

 
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