3DK29-II Todos los transistores

 

3DK29-II Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3DK29-II

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 150 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 25

Encapsulados: TO18

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3DK29-II datasheet

 ..1. Size:24K  shaanxi
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3DK29-II

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DK29-II NPN Silicon High Frequency M-Power Switch Transistor Features 1. Using epitaxy planar technology structure. High working frequency. Metallic packaging. 2. Small volume, light weight, easy installation. 3. Use for high frequency oscillation and high frequency switch, high frequency small signal

 9.1. Size:169K  china
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3DK29-II

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