Справочник транзисторов. 3DK29-II

 

Биполярный транзистор 3DK29-II - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 3DK29-II

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25

Корпус транзистора: TO18

Аналоги (замена) для 3DK29-II

 

 

3DK29-II Datasheet (PDF)

1.1. 3dk29-ii.pdf Size:24K _china

3DK29-II

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DK29-II NPN Silicon High Frequency M-Power Switch Transistor Features: 1. Using epitaxy planar technology structure. High working frequency. Metallic packaging. 2. Small volume, light weight, easy installation. 3. Use for high frequency oscillation and high frequency switch, high frequency small signal

5.1. 3dk29.pdf Size:169K _china

3DK29-II

3DK29 型 NPN 硅小功率开关晶体管 规范值 参数符号 测试条件 单位 A B C D PCM TC=25℃ 1000 mW 极 ICM 500 mA 限 Tjm 175 ℃ 值 Tstg -55~150 ℃ V(BR)CBO ICB=0.1mA ≥25 ≥40 ≥25 ≥40 V V(BR)CEO ICE=0.1mA ≥15 ≥30 ≥15 ≥30 V V(BR)EBO IEB=0.1mA ≥4.0 V ICBO VCB=10V ≤1.0 μA 直 ICEO VCE=10V ≤2.0 μA 流 参 IEBO VEB=4V ≤1.0

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 9012 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top

 


3DK29-II
  3DK29-II
  3DK29-II
 

social 

Список транзисторов

Обновления

BJT: CHDTC114EKPT | CE1A3Q | 2SC6089 | 2SC4714 | 2SD1047C | 2SB817C | FW26025A1 | 2T665B9 | 2T665A9 | MJ13001A | HSC2682 | MRF660 | MP1620 | HLD133D | BFR360F | AV8050S | 3DD5027 | 3DD2901 | 3DD2102 | 3DD313 |

 

 

 

 

Back to Top