3DK29-II datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DK29-II  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO18

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DK29-II

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DK29-II даташит

 ..1. Size:24K  shaanxi
 3dk29-ii.pdf pdf_icon

3DK29-II

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DK29-II NPN Silicon High Frequency M-Power Switch Transistor Features 1. Using epitaxy planar technology structure. High working frequency. Metallic packaging. 2. Small volume, light weight, easy installation. 3. Use for high frequency oscillation and high frequency switch, high frequency small signal

 9.1. Size:169K  china
 3dk29.pdf pdf_icon

3DK29-II

Другие транзисторы: 3DK14, 3DK14I, 3DK2, 3DK209, 3DK21, 3DK2222, 3DK28, 3DK29, 2SD313, 3DK3039, 3DK32, 3DK3767, 3DK3879, 3DK3B, 3DK4, 3DK402, 3DK405