3DK50 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DK50
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
Tensión colector-base (Vcb): 200 V
Tensión colector-emisor (Vce): 125 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 25 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
Paquete / Cubierta: TO3
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 3DK50
3DK50 Datasheet (PDF)
3dk50.pdf
3DK50 NPN PCM TC=25 150 W ICM 25 A Tjm 175 Tstg -55~150 RthJC 1.17 /W V(BR)CBO ICB=3mA 200 V V(BR)CEO ICE=3mA 125 V V(BR)EBO IEB=3mA 7.0 V ICBO VCB=200V 1.0 mA ICEO VCE=10V 1.0 mA IEBO VEB=5V 1 mA VBEsat 1.6 IC=5A V IB
3dk501d.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 3DK501DDESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 450V(Min.)(BR)CEODC Current Gain: h = 20(Min.)@I = 10AFE CCollector-Emitter Saturation Voltage-: V )= 1.2V(Max)@ I = 10ACE(sat CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for B&W TV horizontal output , regul
Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: 3DG2703 | FGT8766
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050