3DK50 Todos los transistores

 

3DK50 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DK50
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
   Tensión colector-base (Vcb): 200 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 125 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 25 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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3DK50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:113K  china
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3DK50

3DK50 NPN PCM TC=25 150 W ICM 25 A Tjm 175 Tstg -55~150 RthJC 1.17 /W V(BR)CBO ICB=3mA 200 V V(BR)CEO ICE=3mA 125 V V(BR)EBO IEB=3mA 7.0 V ICBO VCB=200V 1.0 mA ICEO VCE=10V 1.0 mA IEBO VEB=5V 1 mA VBEsat 1.6 IC=5A V IB

 0.1. Size:237K  inchange semiconductor
 3dk501d.pdf pdf_icon

3DK50

isc Silicon NPN Power Transistor 3DK501DDESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 450V(Min.)(BR)CEODC Current Gain: h = 20(Min.)@I = 10AFE CCollector-Emitter Saturation Voltage-: V )= 1.2V(Max)@ I = 10ACE(sat CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for B&W TV horizontal output , regul

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History: 2SC1322 | GET535

 

 
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