3DK50 - описание и поиск аналогов

 

3DK50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DK50

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 125 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 3DK50

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DK50 даташит

 ..1. Size:113K  china
 3dk50.pdf pdf_icon

3DK50

3DK50 NPN PCM TC=25 150 W ICM 25 A Tjm 175 Tstg -55 150 RthJC 1.17 /W V(BR)CBO ICB=3mA 200 V V(BR)CEO ICE=3mA 125 V V(BR)EBO IEB=3mA 7.0 V ICBO VCB=200V 1.0 mA ICEO VCE=10V 1.0 mA IEBO VEB=5V 1 mA VBEsat 1.6 IC=5A V IB

 0.1. Size:237K  inchange semiconductor
 3dk501d.pdf pdf_icon

3DK50

isc Silicon NPN Power Transistor 3DK501D DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 450V(Min.) (BR)CEO DC Current Gain h = 20(Min.)@I = 10A FE C Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 1.2V(Max)@ I = 10A CE(sat C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for B&W TV horizontal output , regul

Другие транзисторы: 3DK32, 3DK3767, 3DK3879, 3DK3B, 3DK4, 3DK402, 3DK405, 3DK40B, A1013, 3DK5886, 3DK5E, 3DK7, 3DK8, 3DK9, 3N1151GP, 3N13003GP, 3N440GP

 

 

 

 

↑ Back to Top
.