3DK50 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

3DK50 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 3DK50
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 125 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналоги (замена) для 3DK50

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DK50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:113K  china
 3dk50.pdf pdf_icon

3DK50

3DK50 NPN PCM TC=25 150 W ICM 25 A Tjm 175 Tstg -55~150 RthJC 1.17 /W V(BR)CBO ICB=3mA 200 V V(BR)CEO ICE=3mA 125 V V(BR)EBO IEB=3mA 7.0 V ICBO VCB=200V 1.0 mA ICEO VCE=10V 1.0 mA IEBO VEB=5V 1 mA VBEsat 1.6 IC=5A V IB

 0.1. Size:237K  inchange semiconductor
 3dk501d.pdf pdf_icon

3DK50

isc Silicon NPN Power Transistor 3DK501DDESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 450V(Min.)(BR)CEODC Current Gain: h = 20(Min.)@I = 10AFE CCollector-Emitter Saturation Voltage-: V )= 1.2V(Max)@ I = 10ACE(sat CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for B&W TV horizontal output , regul

Другие транзисторы... 3DK32 , 3DK3767 , 3DK3879 , 3DK3B , 3DK4 , 3DK402 , 3DK405 , 3DK40B , 2SD313 , 3DK5886 , 3DK5E , 3DK7 , 3DK8 , 3DK9 , 3N1151GP , 3N13003GP , 3N440GP .

History: DRC3A13Z | DRC3A44W | NPS3704 | FFB3906 | KSC2881Y | BFY63 | MH0816

 

 
Back to Top

 


 
.