3DK5886 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DK5886
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
Tensión colector-base (Vcb): 250 V
Tensión colector-emisor (Vce): 200 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 20 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 5 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
Paquete / Cubierta: TO3
- Selección de transistores por parámetros
3DK5886 Datasheet (PDF)
3dk5886.pdf

3DK5886 NPN PCM TC=25 150 W ICM 20 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 1 /W IC=5A V(BR)CBO ICB=5mA 250 V V(BR)CEO ICE=5mA 200 V V(BR)EBO IEB=10mA 5.0 V ICBO VCB=20V 2.0 mA ICEO VCE=20V 2.0 mA IEBO VEB=4V 2.0 mA VBEsat 2.5
Otros transistores... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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