3DK5886 - описание и поиск аналогов

 

3DK5886. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DK5886

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 3DK5886

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DK5886 даташит

 ..1. Size:120K  china
 3dk5886.pdf pdf_icon

3DK5886

3DK5886 NPN PCM TC=25 150 W ICM 20 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 1 /W IC=5A V(BR)CBO ICB=5mA 250 V V(BR)CEO ICE=5mA 200 V V(BR)EBO IEB=10mA 5.0 V ICBO VCB=20V 2.0 mA ICEO VCE=20V 2.0 mA IEBO VEB=4V 2.0 mA VBEsat 2.5

Другие транзисторы... 3DK3767 , 3DK3879 , 3DK3B , 3DK4 , 3DK402 , 3DK405 , 3DK40B , 3DK50 , 2SB817 , 3DK5E , 3DK7 , 3DK8 , 3DK9 , 3N1151GP , 3N13003GP , 3N440GP , 3N772GP .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.