3DK9 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DK9
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.7 W
Tensión colector-base (Vcb): 25 V
Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 120 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
Paquete / Cubierta: TO18
- Selección de transistores por parámetros
3DK9 Datasheet (PDF)
3dk9.pdf

3DK9 NPN A B C D E F G H PCM TC=25 700 mW ICM 800 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 25 50 75 100 25 50 75 100 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 20 35 60 80 20 35 60 80 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 5.0 V ICBO VCB=10V 0.5 A
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: LMBTH10WT1G | LMBT4401LT3G | LMBTH10LT3G
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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