3DK9 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DK9
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.7 W
Tensión colector-base (Vcb): 25 V
Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 120 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
Paquete / Cubierta: TO18
Búsqueda de reemplazo de 3DK9
3DK9 Datasheet (PDF)
3dk9.pdf

3DK9 NPN A B C D E F G H PCM TC=25 700 mW ICM 800 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 25 50 75 100 25 50 75 100 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 20 35 60 80 20 35 60 80 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 5.0 V ICBO VCB=10V 0.5 A
Otros transistores... 3DK402 , 3DK405 , 3DK40B , 3DK50 , 3DK5886 , 3DK5E , 3DK7 , 3DK8 , S9013 , 3N1151GP , 3N13003GP , 3N440GP , 3N772GP , 3N882GP , 3RA2114 , 3SC2655 , 3STF1640 .
History: CSB744
History: CSB744



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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