Биполярный транзистор 3DK9 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DK9
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.7 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Корпус транзистора: TO18
3DK9 Datasheet (PDF)
..1. Size:147K china
3dk9.pdf
3dk9.pdf
3DK9 NPN A B C D E F G H PCM TC=25 700 mW ICM 800 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 25 50 75 100 25 50 75 100 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 20 35 60 80 20 35 60 80 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 5.0 V ICBO VCB=10V 0.5 A
Другие транзисторы... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , TIP142 , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050