3N1151GP Todos los transistores

 

3N1151GP . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3N1151GP
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1.25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO126
 

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3N1151GP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:132K  chenmko
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3N1151GP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD3N1151GPSMALL FLAT PNP Epitaxial Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 5 AmpereAPPLICATION* Power driver and Dc to DC convertor .FEATURE* Small flat package. (TO-126)TO-126* Low collector-emitter saturation voltage * Large collector current .114(2.90).307(7.80)* High power dissipation .059(1.50).098(2.50).291(7.40).043(1.10).161(4.10

 9.1. Size:769K  way-on
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3N1151GP

WM03N115A 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDWM03N115A uses advanced power trench technology that has Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet Dmaintain superior switching performance. S SFeatures SG V = 30V, I = 11.5A DS DSOP-8LR

Otros transistores... 3DK405 , 3DK40B , 3DK50 , 3DK5886 , 3DK5E , 3DK7 , 3DK8 , 3DK9 , BC556 , 3N13003GP , 3N440GP , 3N772GP , 3N882GP , 3RA2114 , 3SC2655 , 3STF1640 , 3STL2540 .

 

 
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