3N1151GP - описание и поиск аналогов

 

3N1151GP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3N1151GP

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для 3N1151GP

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3N1151GP даташит

 ..1. Size:132K  chenmko
 3n1151gp.pdf pdf_icon

3N1151GP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD 3N1151GP SMALL FLAT PNP Epitaxial Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 5 Ampere APPLICATION * Power driver and Dc to DC convertor . FEATURE * Small flat package. (TO-126) TO-126 * Low collector-emitter saturation voltage * Large collector current .114(2.90) .307(7.80) * High power dissipation .059(1.50) .098(2.50) .291(7.40) .043(1.10) .161(4.10

 9.1. Size:769K  way-on
 wm03n115a.pdf pdf_icon

3N1151GP

WM03N115A 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D WM03N115A uses advanced power trench technology that has D been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet D maintain superior switching performance. S S Features S G V = 30V, I = 11.5A DS D SOP-8L R

Другие транзисторы: 3DK405, 3DK40B, 3DK50, 3DK5886, 3DK5E, 3DK7, 3DK8, 3DK9, D209L, 3N13003GP, 3N440GP, 3N772GP, 3N882GP, 3RA2114, 3SC2655, 3STF1640, 3STL2540

 

 

 

 

↑ Back to Top
.