Справочник транзисторов. 3N1151GP

 

Биполярный транзистор 3N1151GP Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3N1151GP
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO126
 

 Аналог (замена) для 3N1151GP

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3N1151GP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:132K  chenmko
 3n1151gp.pdf pdf_icon

3N1151GP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD3N1151GPSMALL FLAT PNP Epitaxial Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 5 AmpereAPPLICATION* Power driver and Dc to DC convertor .FEATURE* Small flat package. (TO-126)TO-126* Low collector-emitter saturation voltage * Large collector current .114(2.90).307(7.80)* High power dissipation .059(1.50).098(2.50).291(7.40).043(1.10).161(4.10

 9.1. Size:769K  way-on
 wm03n115a.pdf pdf_icon

3N1151GP

WM03N115A 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDWM03N115A uses advanced power trench technology that has Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet Dmaintain superior switching performance. S SFeatures SG V = 30V, I = 11.5A DS DSOP-8LR

Другие транзисторы... 3DK405 , 3DK40B , 3DK50 , 3DK5886 , 3DK5E , 3DK7 , 3DK8 , 3DK9 , BC556 , 3N13003GP , 3N440GP , 3N772GP , 3N882GP , 3RA2114 , 3SC2655 , 3STF1640 , 3STL2540 .

History: 2N779A | 2SC1293 | 2SC356 | BU407H | TIP132 | 2SC2383-Y | ECG390

 

 
Back to Top

 


 
.