Справочник транзисторов. 3N1151GP

 

Биполярный транзистор 3N1151GP - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 3N1151GP
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для 3N1151GP

 

 

3N1151GP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:132K  chenmko
3n1151gp.pdf

3N1151GP 3N1151GP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD3N1151GPSMALL FLAT PNP Epitaxial Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 5 AmpereAPPLICATION* Power driver and Dc to DC convertor .FEATURE* Small flat package. (TO-126)TO-126* Low collector-emitter saturation voltage * Large collector current .114(2.90).307(7.80)* High power dissipation .059(1.50).098(2.50).291(7.40).043(1.10).161(4.10

 9.1. Size:769K  way-on
wm03n115a.pdf

3N1151GP 3N1151GP

WM03N115A 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDWM03N115A uses advanced power trench technology that has Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet Dmaintain superior switching performance. S SFeatures SG V = 30V, I = 11.5A DS DSOP-8LR

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 2SC945 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top