PH0814-40 Todos los transistores

 

PH0814-40 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PH0814-40

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 175 W

Tensión colector-base (Vcb): 56 V

Tensión colector-emisor (Vce): 56 V

Tensión emisor-base (Veb): 3 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5.6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 1450 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 15

Encapsulados: CERAMIC

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PH0814-40 datasheet

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PH0814-40

PH0814-40 Wireless Bipolar Power Transistor M/A-COM Products Released - Rev. 02.11 40W, 850-1450MHz, 28V 1 Outline Drawing Features NPN silicon microwave power transistor Common emitter configuration Broadband Class AB operation Interdigitated geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metalization system Inte

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