PH0814-40 Todos los transistores

 

PH0814-40 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PH0814-40
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 175 W
   Tensión colector-base (Vcb): 56 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 56 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5.6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1450 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: CERAMIC
 

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PH0814-40 Datasheet (PDF)

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PH0814-40

PH0814-40 Wireless Bipolar Power Transistor M/A-COM Products Released - Rev. 02.11 40W, 850-1450MHz, 28V 1 Outline Drawing Features NPN silicon microwave power transistor Common emitter configuration Broadband Class AB operation Interdigitated geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metalization system Inte

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History: UNR521Z

 

 
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