PH0814-40 - описание и поиск аналогов

 

PH0814-40. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PH0814-40

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 175 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 56 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 56 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1450 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: CERAMIC

 Аналоги (замена) для PH0814-40

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PH0814-40 даташит

 ..1. Size:126K  macom
 ph0814-40.pdf pdf_icon

PH0814-40

PH0814-40 Wireless Bipolar Power Transistor M/A-COM Products Released - Rev. 02.11 40W, 850-1450MHz, 28V 1 Outline Drawing Features NPN silicon microwave power transistor Common emitter configuration Broadband Class AB operation Interdigitated geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metalization system Inte

Другие транзисторы: 3N13003GP, 3N440GP, 3N772GP, 3N882GP, 3RA2114, 3SC2655, 3STF1640, 3STL2540, 2SC2240, PH1090-15L, PH1090-175L, PH1090-350L, PH1090-55S, PH1090-700B, PH1090-75L, PH1113-100, PH1214-0.85L

 

 

 

 

↑ Back to Top
.