Биполярный транзистор PH0814-40 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: PH0814-40
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 175 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 56 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 56 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1450 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: CERAMIC
Аналоги (замена) для PH0814-40
PH0814-40 Datasheet (PDF)
..1. Size:126K macom
ph0814-40.pdf
ph0814-40.pdf
PH0814-40 Wireless Bipolar Power Transistor M/A-COM Products Released - Rev. 02.11 40W, 850-1450MHz, 28V 1 Outline Drawing Features NPN silicon microwave power transistor Common emitter configuration Broadband Class AB operation Interdigitated geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metalization system Inte
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
