PH1617-2 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PH1617-2
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 13.5 W
Tensión colector-base (Vcb): 65 V
Tensión colector-emisor (Vce): 65 V
Tensión emisor-base (Veb): 3 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 1700 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
Paquete / Cubierta: CERAMIC
- Selección de transistores por parámetros
PH1617-2 Datasheet (PDF)
ph1617-2.pdf

PH1617-2 Wireless Bipolar Power Transistor M/A-COM Products Released - Rev. 07.07 2W, 16 -1.7 GHz Outline Drawing Features Designed for linear amplifier applications Class AB: -33 dBc typ. 3rd IMD at 2 W PEP Class A: +44 dBm typ. 3rd order intercept point Common emitter configuration Internal input impedance matching Diffused emitter ballasting
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: CMBTA06 | DTC143ZET1G | BSX81 | 2SC2984 | BFQ268 | 2SD1274B | HJ667A
History: CMBTA06 | DTC143ZET1G | BSX81 | 2SC2984 | BFQ268 | 2SD1274B | HJ667A



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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