Биполярный транзистор PH1617-2 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: PH1617-2
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 13.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 65 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1700 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: CERAMIC
- подбор биполярного транзистора по параметрам
PH1617-2 Datasheet (PDF)
ph1617-2.pdf

PH1617-2 Wireless Bipolar Power Transistor M/A-COM Products Released - Rev. 07.07 2W, 16 -1.7 GHz Outline Drawing Features Designed for linear amplifier applications Class AB: -33 dBc typ. 3rd IMD at 2 W PEP Class A: +44 dBm typ. 3rd order intercept point Common emitter configuration Internal input impedance matching Diffused emitter ballasting
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: 2N5338 | 2SB782 | CIL769 | CHUMB2GP | 2SC4161L | MUN5211DW1 | 2SA578
History: 2N5338 | 2SB782 | CIL769 | CHUMB2GP | 2SC4161L | MUN5211DW1 | 2SA578



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bc547 характеристики | me15n10-g | 2n2905 equivalent | 2sa640 | 2sb527 | 30g124 | 75339p mosfet | a968 transistor