PMB817 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PMB817  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W

Tensión colector-base (Vcb): 160 V

Tensión colector-emisor (Vce): 140 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 12 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 15 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 300 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 60

Encapsulados: TO3PI

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PMB817 datasheet

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PMB817

PMB817 PNP SILICON EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR designed for 140V/12A AF 60W output application. complementary to PMD1047. TO-3PI MAXIMUM RATINGS (Ta= 25 C) Characteristic Symbol Value Unit Collector Base Voltage VCBO -160 V Collector Emitter Voltage VCEO -140 V Emitter Base Voltage VEBO -6 V Collector Current IC -12 A Collector Current (Pulse) ICP -15 A 1 Base C

Otros transistores... PIMC31, PIMZ2, PMA1302, PMA1516, PMB1370, PMB1626, PMB688, PMB772, 9014, PMBT2222AYS, PMBT2907AYS, PMBT3904M, PMBT3904MB, PMBT3904VS, PMBT3904YS, PMBT3906M, PMBT3906MB