PMB817 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PMB817
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
Tensión colector-base (Vcb): 160 V
Tensión colector-emisor (Vce): 140 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 12 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 15 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 300 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
Paquete / Cubierta: TO3PI
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar PMB817
PMB817 Datasheet (PDF)
pmb817.pdf
PMB817 PNP SILICON EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR designed for 140V/12A AF 60W output application. complementary to PMD1047. TO-3PI MAXIMUM RATINGS (Ta= 25 C) Characteristic Symbol Value UnitCollector Base Voltage VCBO -160 VCollector Emitter Voltage VCEO -140 VEmitter Base Voltage VEBO -6 VCollector Current IC -12 ACollector Current (Pulse) ICP -15 A 1 : Base C
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: K2125A | 2N6322
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050