Биполярный транзистор PMB817 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: PMB817
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 300 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: TO3PI
PMB817 Datasheet (PDF)
..1. Size:64K pmc components
pmb817.pdf
pmb817.pdf
PMB817 PNP SILICON EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR designed for 140V/12A AF 60W output application. complementary to PMD1047. TO-3PI MAXIMUM RATINGS (Ta= 25 C) Characteristic Symbol Value UnitCollector Base Voltage VCBO -160 VCollector Emitter Voltage VCEO -140 VEmitter Base Voltage VEBO -6 VCollector Current IC -12 ACollector Current (Pulse) ICP -15 A 1 : Base C
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050