Биполярный транзистор PMB817 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: PMB817
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 300 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: TO3PI
PMB817 Datasheet (PDF)
..1. Size:64K pmc components
pmb817.pdf
pmb817.pdf
PMB817 PNP SILICON EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR designed for 140V/12A AF 60W output application. complementary to PMD1047. TO-3PI MAXIMUM RATINGS (Ta= 25 C) Characteristic Symbol Value UnitCollector Base Voltage VCBO -160 VCollector Emitter Voltage VCEO -140 VEmitter Base Voltage VEBO -6 VCollector Current IC -12 ACollector Current (Pulse) ICP -15 A 1 : Base C
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
History: 2N3789XSMD
