PMB817 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PMB817  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 300 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO3PI

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PMB817

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PMB817 даташит

 ..1. Size:64K  pmc components
 pmb817.pdf pdf_icon

PMB817

PMB817 PNP SILICON EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR designed for 140V/12A AF 60W output application. complementary to PMD1047. TO-3PI MAXIMUM RATINGS (Ta= 25 C) Characteristic Symbol Value Unit Collector Base Voltage VCBO -160 V Collector Emitter Voltage VCEO -140 V Emitter Base Voltage VEBO -6 V Collector Current IC -12 A Collector Current (Pulse) ICP -15 A 1 Base C

Другие транзисторы: PIMC31, PIMZ2, PMA1302, PMA1516, PMB1370, PMB1626, PMB688, PMB772, 9014, PMBT2222AYS, PMBT2907AYS, PMBT3904M, PMBT3904MB, PMBT3904VS, PMBT3904YS, PMBT3906M, PMBT3906MB