PMD18D80 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PMD18D80
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 300 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 50 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Capacitancia de salida (Cc): 1200 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 1000
Paquete / Cubierta: TO3
- Selección de transistores por parámetros
PMD18D80 Datasheet (PDF)
pmd18d100.pdf

PMD18D100SEMELABMECHANICAL DATANPN DARLINGTONDimensions in mmPOWER TRANSISTOR26.6 max. 9.0 max.FEATURES4. 22. 5 TO3 PACKAGE 100V 100A PEAKB E 300 WATTSDESCRIPTIONThe PMD18D100 is an NPN Darlington10.912.8Power Transistor in a hermetic TO3 package.The device is a monolothic epitaxial structureTO3 Package.with built in base-emitter shunt r
Otros transistores... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
History: KTC4374Y | BC54-16-PAS | BDY60 | BSX79 | RT3065 | 3DD3145_A6 | 2SD1231
History: KTC4374Y | BC54-16-PAS | BDY60 | BSX79 | RT3065 | 3DD3145_A6 | 2SD1231



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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